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更新时间:2026-06-30
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机械摩擦损伤
批量槽式清洗将数十片晶圆同槽浸泡,片体相互碰撞、摩擦,直接刮伤表面图形;槽内超声振板直接接触基板,也会产生物理划痕。
声波能量过载击穿微结构
常规低频超声波(20kHz~100kHz)空化气泡爆破冲击力非常强,针对厚度仅数十纳米的沉积薄膜、光刻胶结构,极易造成层裂、穿孔。
喷淋覆盖不均,局部能量集中
单点位简易喷淋设备会造成基板局部声波能量过高,边缘、薄膜薄弱区域易出现损伤,同时清洗洁净度参差不齐。
结构:单组独立雾化喷嘴,单点定向柔和喷淋
无损清洗优势:可精准对准 4 寸小型基板、光掩模版局部区域,流量、声波功率单独微调,小批量试样清洗时能量全可控,不会出现过清洗损伤;药液用量最少,减少化学试剂对薄膜的腐蚀。
适用场景:实验室工艺研发、小批量掩膜版试样、Lift-off 剥离小样处理。
结构:双侧对称双通道喷淋,支持双频独立输出
无损清洗优势:基板正反 / 左右双侧同步覆盖,避免单侧喷淋造成的局部能量堆积,整片晶圆声波分布均匀,边缘与中心洁净度一致,无局部过清洗、薄膜破损问题;清洗节拍相比单喷嘴提升 40%,适配中小规模量产。
适用场景:4 寸硅晶圆量产线、常规光罩日常洁净工序。
结构:三组分区独立控制喷嘴,可分别调节流量、频率、功率
无损清洗优势:全域无盲区全覆盖大尺寸基板,针对多层薄膜、高低差线路基板,可分区匹配不同声波参数;复杂结构区域采用低功率柔和清洗,平整区域适配标准功率,兼顾洁净度与结构保护,高的端的先进制程优先选择。
适用场景:大规模芯片量产、多层薄膜精密基板、高洁净度光掩膜生产线。
PVDF 全密封换能器组件
所有接触药液部件均采用聚偏氟乙烯全封装,耐强酸强碱腐蚀,不会析出杂质污染晶圆,同时无金属硬边摩擦刮伤基板风险,适配各类腐蚀性清洗试剂。同时提供浸没式换能器版本,可改造原有湿法槽体。
单片独立作业模式
系统一次仅处理单一片晶圆,无多片堆叠、碰撞风险;每片基板可单独设置清洗参数,柔性匹配不同产品,不会出现批量统一参数造成的部分工件过清洗损伤。
模块化低功率调控发生器
Slim Line 纤薄系列发生器功率线性可调,可精准输出低能量兆声波,针对超薄、高脆弱基板做到微量温和清洗,不会出现能量过载击穿薄膜。
单片硅晶圆全制程精密清洗;
光刻光掩模版高精度洁净处理;
Lift-off 剥离工艺残胶、金属残渣去除;
4 英寸化合物半导体基板湿法清洗;
实验室新品工艺研发试样清洗。
研发打样、小批量试样:选择单喷嘴,精准控能、低成本,避免试样报废;
常规中小型量产、标准 4 寸晶圆:优先双喷嘴,兼顾清洗均匀度与生产效率;
高产能、多层薄膜复杂基板、高的端的先进制程:选用三通道喷嘴,分区独立调控,最的大的化的降低微结构损伤概率。
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